三星芯片地位一路飙升 首款28纳米eMRAM成为里程碑

　　【新闻】三星方面宣布，即将开始批量生产其首款商用eMRAM，并开始出货。该产品基于其28纳米全耗尽FD-SOI的工艺技术。MRAM技术是非易失性的，即使没有电，也不会像NAND闪存一样擦除数据。但它仍然可以像易失性DRAM一样快速处理数据，并被认为是下一代存储器技术。

三星芯片

　　三星方面表示，其eMRAM的写入速度比eFlash快一千倍。因为它在写入数据之前不需要擦除周期，同时它还可以克服后者的可扩展性问题。它的功耗也较低，因为它在关闭时不会消耗功率。FD-SOI的工艺技术与eMRAM一样，都是在硅晶圆上放置绝缘膜以减少功率泄漏。

　　对于三星这一全球最大的内存芯片制造商来说，此次的成功是一个重要的里程碑。该公司表示这一技术发展将增强其竞争力。三星还表示，其eMRAM模块可以轻松插入现有的逻辑技术，如BULK、FIN和FD-SOI晶体管。

　　该公司希望其eMRAM解决方案能够在微控制器单元、物联网和人工智能方面找到应用。三星的代工业务也将eMRAM应用于其片上系统，这将使其产品与竞争对手区别开来。

（编辑：无忧刷机网 - 51刷机网）

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