以移动平台之名 5大支柱体验护航骁龙835

10纳米 FinFET工艺 高性能SoC提升续航

    事实上高通在早于公布骁龙835技术细节之前，就提前公开了其工艺方案10纳米 FinFET，作为首款采用三星10nm FinFET工艺制造的处理器，骁龙835能够带来35%的芯片尺寸缩小，以及降低高达25%的功耗，从而供OEM厂商设计更轻薄的机身、进入到更小体积的智能终端，以及容纳更多的晶体管数量，进而提升性能和设计两方面的优势。

    相比上一代封装工艺来说，全新一代10纳米 FinFET制程工艺能够带来35%的芯片尺寸缩小以及高达25%的功耗降低。

    而在运行频率上，骁龙835的4颗性能核心频率高达2.45GHz，比骁龙820有所提高，而4颗效率核心则运行在1.9GHz水平，性能核心以及效率核心组分别搭配2MB和1MB二级缓存。在处理器调度上，诸如APP加载时间、网页浏览以及VR等用例中，调用性能核心从而可以提升高达20%的性能，而其余80%的时间都将使用效率核心也就是“效率丛集”部分，从而最小化内存交互功耗。

    从AnandTech的测试来看骁龙835 CPU部分性能，其整数性能大部分项目高于前两代产品，但也有JPEG、Canny和Camera三项出现了倒退。而浮点性能部分，骁龙835多项成绩相比骁龙820/821有所下滑，可能是出于基于ARM半定制而非完全自主定制架构的原因。

（编辑：无忧刷机网 - 51刷机网）

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